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练碳化硅需要什么设备
练碳化硅需要什么设备
2022-11-16T08:11:05+00:00
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎 知乎专栏
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工 外延：碳化硅衬底的表面特性不足以支撑制造碳化硅器件，需要采用气相沉积法在其表面再生长一层厚度为 530μm 的碳化硅，成为碳化硅外延； 在设备环节，碳化硅晶圆和器件 碳化硅 ~ 制备难点 知乎 知乎专栏
碳化硅功率器件之一 知乎 知乎专栏
碳化硅功率器件行业研究系列文章将分为多期陆续发布，本期主要介绍了碳化硅的本质、简史以及碳化硅半导体，分析了碳化硅功率器件产业链情况，下篇将深入分析碳化硅粉体、 据IHS数据，SiC市场总量在2025年有望达到30亿美元。 随着新能源车的发展，SiC器件性能上的优势将推进碳化硅器件市场规模的扩张，也将促使更多的功率半导体企业将目光聚 大家对碳化硅器件的前景如何看？ 知乎
三分钟了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎专栏
以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。 碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件 4 Jan 2022 碳化硅3个常识点 ： 1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快 ！ 2、碳化硅目前供需情况是一片难求，核心点是上游长晶环节衬底 碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需努力！
首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多
21 Oct 2020 国内宽禁带半导体设备领域，在国家科技项目的大力推动下，我国宽禁带半导体设备正在逐步缩小与国外先进设备的差距:碳化硅半导体设备方面，100150mm设备已 4 Nov 2021 我相信碳化硅这个设备不复杂，气相法pvt的设备不复杂，复杂的在于工艺。硅单晶炉设备比pvt设备要复杂，包括软件控制等等。唯独pvt比它要求更高的就是温度，但 第三代半导体专家交流 要点：1 碳化硅主要可应用于电力电子器件
第三代半导体材料之碳化硅（SiC） 雪球
8 Jun 2021 碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用 另外，碳化硅生长环境温度远高于硅材料，硅的升华温度为 1400 度左右，而碳化硅的晶片生长需要 2000 度左右，这对炉管设备的要求更高。 并且，SiC 的生长周期长，长出来晶 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿市场空
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分 21 Oct 2020 国内宽禁带半导体设备领域，在国家科技项目的大力推动下，我国宽禁带半导体设备正在逐步缩小与国外先进设备的差距:碳化硅半导体设备方面，100150mm设备已部分实现国产化。但设备的产线应用较少，进而导致设备技术细节和可靠性有待提高，市场认可度 首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做？
SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ 知乎
14 Dec 2021 sic 和 igbt 分别有什么特点？ 因此，碳化硅作为第三代半导体，在发展过程中必然是与硅器件相伴而行，毕竟与硅基器件行业相比，第三代半导体产业发展时间相对较短，在标准化、成熟度等方面还有很长的路要走，尤其是在品质与长期可靠性方面，还有大量 9 Apr 2022 报告主题：碳化硅外延，“初学者”该了解哪些？ 报告作者：Michael MacMillan（Epiluvac USA） 报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容） 为什么碳化硅在电力电子领域备受关注？ SiC供应链概览 SiC外延生长的基本原理 碳化硅外延设备 外延的表征技术 碳化硅外延，“初学者”该了解哪些？面包板社区
一文搞懂SiC功率器件的市场、应用和制造工艺面包板社区
10 Apr 2022 # SiC制造需要特定的设备和开发特定的工艺 多个成熟的 Si 工艺已成功转移到 SiC。然而，碳化硅材料特性需要开发特定的工艺，其参数必须优化和合格： 蚀刻： 碳化硅对化学溶剂是惰性的，只有干蚀刻是可行的。掩膜材料、掩膜蚀刻选择性、气体混合物、侧壁 28 Oct 2022 碳化硅单晶衬底多线切割液 目前切割碳化硅的主流方法是砂浆线切割(游离磨粒线切割)，砂浆线切割(游离磨粒线切割)是指在加工过程中切割线往复高速运动，在晶棒和切割线处喷入切割液，高速运动的切割线将磨料带到加工区域，实现材料的切割。碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案 搜狐
第三代半导体专家交流 要点：1 碳化硅主要可应用于电力电子器件和微波射频两个领域，细分领域包括车、光伏、消费电子等。2 碳化硅
4 Nov 2021 我相信碳化硅这个设备不复杂，气相法pvt的设备不复杂，复杂的在于工艺。硅单晶炉设备比pvt设备要复杂，包括软件控制等等。唯独pvt比它要求更高的就是温度，但只要把原来硅炉的电阻加热变成感应加热就能达到这个温度。 q：为什么第三代半导体这个材料不 25 Nov 2021 2、设备 切磨抛设备国产化率还不高，主要进口德国、欧洲设备，切割设备需要金刚石切割，国内可靠性还不行，切割设备以日本设备为主，研磨抛也是以国外设备为主。 国内产品需要进一步降低成本，提高可靠性才能逐步实现国产化，国内企业正在慢慢进入。碳化硅（SIC）为什么就一片难求 雪球
罗姆半导体技术社区 功率器件 eefocus
器件性能：耐高温、开关速度快、导通电阻低、耐高压。 优于普通硅材料的特性。 反映在电子电气系统和器件产品中。 3 系统性能：体积小、重量轻、高能效、驱动力强。 碳化硅的耐高压能力是硅的10 倍，耐高温能力是硅的2 倍，高频能力是硅的2 倍；相同 25 Nov 2020 解析碳化硅外延材料产业链 [导读] 与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且 最全！解析碳化硅外延材料产业链 21ic电子网