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碳化硅化学分析方法
碳化硅化学分析方法
2023-05-27T03:05:56+00:00
GB╱T 30452017 普通磨料 碳化硅化学分析方法pdf全文可读
3 Jun 2021 本标准做了如下编辑性修改: ——— 《 》。 将标准名称修改为 普通磨料 碳化硅化学分析方法 Ⅲ / — GBT3045 2017 本标准由中国机械工业联合会提出。 ( / ) 。 本 SiC 外延：碳化硅外延材料生长的主要方法有化学气相淀积、液相外延、 分子束外延以及升华外延， 目前大规模生产主要采用的是化学气相淀积。以高纯的氩气或者氢气作为载体 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎 知乎专栏
GBT 30452017普通磨料 碳化硅化学分析方法 (标准状态：
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（正版） GB T 30452017 普通磨料 碳化硅化学分析方法 道客巴巴
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碳化硅化学分析方法 百度文库
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