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碳化硅设备原理
碳化硅设备原理
2021-05-06T03:05:03+00:00
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎 知乎专栏
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工 由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。 1、半导体照明领域 采用碳化硅作为衬底的LED期间亮度更高、能耗更低寿命更长、单位芯片面积更小，在大功率LED方面具有非常大的优势。三分钟了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎专栏
碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎 知乎专栏
2、衬底 长晶完成后，就进入衬底生产环节。 经过定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）、超精密抛光（化学机械抛光），得到碳化硅衬底。 衬底主要起到物理支撑、导热和导电的作用。 加工的难点在于碳化硅材料硬度高、脆性大、化学 碳化硅SiC材料特性 碳化硅SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料，在热、化学、机械方面都非常稳定。 C原子和Si原子不同的结合方式使SiC拥有多种晶格结构，如4H,6H,3C等等。 4HSiC因为其较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度。 SiC器件相对于Si器件的 案例分享第四期：碳化硅SiC切割 知乎 知乎专栏
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
1 Dec 2022 其中碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度、高电导率、高热导率，有望成为未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。 SiC 器件的制造是保证其优良应用的关键，本文将详细介绍SiC器件制造的离子注入工艺和激活退火工艺。 离子注入是一种向半 去咨询 SiC产业链解析： 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。 实际应用中对外延层质量的要求非常高。 而且随着耐压性能的不断提高，所要求的外延层的厚度就越厚，成本也会相应 SIC外延漫谈 知乎
碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需努力！
4 Jan 2022 投资不易，同志仍需努力！碳化硅3个常识点 ：1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快 ！2、碳化硅目前供需情况是一片难求，核心点是上游长晶环节衬底生产慢导致 ！3、衬底在碳化硅价值占比是50%左右量，所以天岳 9 Apr 2022 报告主题：碳化硅外延，“初学者”该了解哪些？ 报告作者：Michael MacMillan（Epiluvac USA） 报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容） 为什么碳化硅在电力电子领域备受关注？ SiC供应链概览 SiC外延生长的基本原理 碳化硅外延 碳化硅外延，“初学者”该了解哪些？面包板社区
碳化硅化学气相沉积外延设备纳设智能官方网站
碳化硅化学气相沉积外延设备纳设智能官方网站碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台 碳化硅作为一种常见的工业磨料，严格讲是一种半导体材料，其电学性质属杂质导电性，电阻率在10^ˉ2～10^12Ω㎝之间。 其导电性能随碳化硅晶体中引入杂质的种类和数量的不同而变化，碳化硅根据其含杂质不同，导电性能也不同。 在纯碳化硅的形式下，其 碳化硅如何导电？ 知乎